6n137(6n137光耦隔离电路)

怎样检验光耦?比如说4n37,huo6n137这种型号光耦主要有三方面的性能:1.输入端(即LED)的性能2正向电压VF;测试条件:IF=10mA所以你需要一个电流源和一个电压表来测试VF2)反向电流(漏电流)IR测试条件:VR=5V所以你需要一个电压源和一个电流

怎样检验光耦?比如说4n37,huo6n137这种型号

光耦主要有三方面的性能:

1.输入端(即LED)的性能

2 正向电压VF;

测试条件:IF=10mA

所以你需要一个电流源和一个电压表来测试VF

2)反向电流(漏电流)IR

测试条件:VR=5V

所以你需要一个电压源和一个电流表,而且这个电流表要能测微小电流。

2.输出端(即光三极管,或者FET)的性能

3)C极-E极间电压VCEO4

测试条件:IC=0.5mA

所以你需要一个电流源和一个电压表

3.传输特性:

4)电流转换比(CTR)

CTR指的是输出端的IC与输入端IF的比值。

测试条件:IF=5mA,VCE=5V

所以你需要一个电流源,一个电压源,一个电流计。

CTR=IC/IF=[IC#IF=5mA/VCE=5V]/5mA

其实只要知道了每个参数的含义,就不难想出他们的测试电路了。

请教下关于ADUM1400这类磁耦合数字隔离器件最近想做个高分辨

基准的噪声只能说怨你自己比如16bit的SAR权电容型的ADC,这种芯片的内部转换使用电荷再分配的,要求是必须在REF端子接入10uF以上的电容,类似IR2110自举电容一样,这不是去耦电容,是个关键器件,如果不加,就会发生非常严重的“位粘连”,也就是最后两三位一直都是000或者111,这说明第4位受到了干扰,应该是0变成了1,然后1~3位就跟着变成最小000了Σδ虽然不至于发生类似的问题,但基准的去耦仍然很重要,必须深度去耦这些基准器件,比如接10uF以上的电容之类的,方能抑制齐纳二极管的白噪声,转折频率低于几十Hz才好不过说实话,Σδ器件内部也是噪声频谱搬移,对输入的噪声与REF噪声不敏感才对,具体看滤波sin3或者sin4的配置,如果几百位的变化,貌似24位连16位都不够了,你这明显是做坏了……

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